欧美a亚洲a日本a国产a|中文字幕25天天夜夜|国产精品国精产品一二三区别|大伊香蕉在线精品视频大芭蕉

      1. <address id="ip7uu"></address>
        歡迎訪問揚州欣達電子有限公司網(wǎng)站! 關(guān)于我們 聯(lián)系我們

        專注于薄膜開關(guān),薄膜面板等研發(fā)與生產(chǎn)

        安全省心,有效控制成本

        img

        咨詢電話:

        0514-86859177

        img

        咨詢電話:

        13805251384

        PRODUCT CENTER
        產(chǎn)品中心
        行業(yè)資訊
        企業(yè)動態(tài)
        技術(shù)文章
        咨詢熱線

        0514-86859177

        技術(shù)文章

        薄膜生長是過程的算法三全表法KMC

            在這種方法中,對每一種可能的原子遷移都要枚舉,建立了一個包括各種可能發(fā)生的事件,以及每個事件對應(yīng)的激活能的大表。這是一種比較準(zhǔn)確的方法,但這種方法在具體應(yīng)用中非常復(fù)雜。例如當(dāng)初始位置和目標(biāo)位置各有12個最近鄰時,在遷移過程中總共就要涉及到18個晶位,那么就有218種可能的事件,并要求計算相應(yīng)的概率(還未考慮次近鄰的影響)。因此建立該表非常困難,而且這種方法的通用性不強。
            對以上3種算法而言,鍵計數(shù)KMC的適用性更強、更普遍。